1979年,MOS栅功率开关器件作为IGBT概念的先驱即已被介绍到世间。这种器件表现为一个类晶闸管的结构(P-N-P-N四层组成),其特点是通过强碱湿法刻蚀工艺形成了V形槽栅。80年代初期,用于功率MOSFET制造技术的DMOS(双扩散形成的金属-氧化物-半导体)工艺被采用到IGBT中来。[2]在那个时候,硅芯片的结构是一种较厚的NPT(非穿通)型设计。后来,通过采用PT(穿通)型结构的方法得到了在参数折衷方面的一个明显改进,这是随着硅片上外延的技术进步,以及采用对应给定阻断电压所设计的n+缓冲层而进展的[3]。几年当中,这种在采用PT设计的外延片上制备的DMOS平面栅结构,其设计规则从5微米***到3微米。90年代中期,沟槽栅结构又返回到一种新概念的IGBT,它是采用从大规模集成(LSI)工艺借鉴来的硅干法刻蚀技术实现的新刻蚀工艺,但仍然是穿通(PT)型芯片结构。[4]在这种沟槽结构中,实现了在通态电压和关断时间之间折衷的更重要的改进。硅芯片的重直结构也得到了急剧的转变,先是采用非穿通(NPT)结构,继而变化成弱穿通(LPT)结构,这就使安全工作区(SOA)得到同表面栅结构演变类似的改善。这次从穿通(PT)型技术***到非穿通(NPT)型技术,是基本的,也是很重大的概念变化。这就是:穿通。
并在检测电阻40上得到检测信号。因此,这种将检测电阻40通过引线直接与主工作区的源区金属相接,可以避免主工作区的工作电流接地电压对测试的影响。但是,这种方式得到的检测电流曲线与工作电流曲线并不对应,如图4所示,得到的检测电流与工作电流的比例关系不固定,在大电流时,检测电流与工作电流的偏差较大,此时,电流传感器1的灵敏性较低,从而导致检测电流的精度和敏感性比较低。针对上述问题,本发明实施例提供了igbt芯片及半导体功率模块,避免了栅电极因对地电位变化造成的偏差,提高了检测电流的精度。为便于对本实施例进行理解,下面首先对本发明实施例提供的一种igbt芯片进行详细介绍。实施例一:本发明实施例提供了一种igbt芯片,图5为本发明实施例提供的一种igbt芯片的结构示意图,如图5所示,在igbt芯片上设置有:工作区域10、电流检测区域20和接地区域30;其中,在igbt芯片上还包括***表面和***表面,且,***表面和***表面相对设置;***表面上设置有工作区域10和电流检测区域20的公共栅极单元100,以及,工作区域10的***发射极单元101、电流检测区域20的***发射极单元201和第三发射极单元202,其中,第三发射极单元202与***发射极单元101连接。
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